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新潔能NCE60ND45AG:高性能N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET的卓越之選
在功率電子領(lǐng)域,提升能效與可靠性始終是設(shè)計(jì)者的核心訴求。新潔能(NCE)推出的NCE60ND45AG N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借其創(chuàng)新的溝槽技術(shù)與優(yōu)化的器件設(shè)計(jì),為高頻開(kāi)關(guān)電源、工業(yè)設(shè)備及新能源系統(tǒng)提供了高效能的解決方案。成為眾多工程師在設(shè)計(jì)高性能電路時(shí)的首選。

一、核心性能:低損耗與高可靠性的完美平衡
1、超低導(dǎo)通電阻
NCE60ND45AG在典型工況下,RDS(ON)低至9.4mΩ(VGS=10V),即使在低驅(qū)動(dòng)電壓場(chǎng)景(VGS=4.5V)下,仍能保持13.4mΩ的優(yōu)異表現(xiàn)。這一特性大幅降低了導(dǎo)通損耗,尤其適用于高電流密度應(yīng)用,如大功率DC/DC轉(zhuǎn)換器和同步整流拓?fù)洹?br>
2、高頻開(kāi)關(guān)優(yōu)化
器件采用高密度單元設(shè)計(jì),結(jié)合優(yōu)化的柵極電荷(Qg)特性,顯著降低開(kāi)關(guān)過(guò)程中的能量損耗。這使得其在數(shù)百kHz甚至MHz級(jí)高頻應(yīng)用中仍能保持高效率,滿(mǎn)足現(xiàn)代電源對(duì)功率密度的嚴(yán)苛要求。
3、極端工況下的可靠性保障
- 100% UIS(雪崩能量)測(cè)試:確保器件在異常電壓尖峰下的抗沖擊能力,提升系統(tǒng)魯棒性。
- 150℃寬溫域工作能力:適應(yīng)工業(yè)環(huán)境中的高溫挑戰(zhàn),保障長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。
- 150℃寬溫域工作能力:適應(yīng)工業(yè)環(huán)境中的高溫挑戰(zhàn),保障長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。
二、典型應(yīng)用場(chǎng)景:從消費(fèi)電子到工業(yè)能源
1、高頻DC/DC轉(zhuǎn)換器
在服務(wù)器電源、通信基站等場(chǎng)景中,NCE60ND45AG的低RDS(ON)與快速開(kāi)關(guān)特性可顯著提升降壓/升壓效率,助力實(shí)現(xiàn)80Plus鈦金級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)。
2、同步整流電路
適配LLC諧振轉(zhuǎn)換器與同步Buck拓?fù)?,通過(guò)替代傳統(tǒng)肖特基二極管,減少整流損耗達(dá)30%以上,尤其適用于新能源儲(chǔ)能系統(tǒng)與電動(dòng)汽車(chē)充電模塊。
3、電機(jī)驅(qū)動(dòng)與工業(yè)自動(dòng)化
高電流承載能力(ID=45A)與耐壓特性(VDS=60V)使其成為工業(yè)變頻器、機(jī)器人驅(qū)動(dòng)器的理想選擇,支持高動(dòng)態(tài)負(fù)載下的穩(wěn)定控制。
NCE60ND45AG采購(gòu)信息:
- 封裝:DFN5X6-8L
- 包裝方式:?330mm編帶包裝
- 編帶寬度:12mm
- 最小包裝量:5k/盤(pán)

綜上所述,新潔能NCE60ND45AG以其先進(jìn)的工藝技術(shù)、優(yōu)異的電氣特性、可靠的性能表現(xiàn)以及環(huán)保理念,成為了高性能N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET領(lǐng)域的一顆璀璨明珠。它不僅滿(mǎn)足了現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效率、低能耗、小型化的需求,還為工程師們?cè)谠O(shè)計(jì)高性能電路時(shí)提供了強(qiáng)大的技術(shù)支持和可靠的器件選擇。隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展,NCE60ND45AG必將在更多領(lǐng)域發(fā)揮重要作用,助力電子設(shè)備邁向更加高效、節(jié)能、環(huán)保的新時(shí)代。
南山電子是新潔能公司授權(quán)代理商,歡迎咨詢(xún)選購(gòu)NCE60ND45AG MOS管。如需產(chǎn)品詳細(xì)的規(guī)格書(shū),請(qǐng)聯(lián)系網(wǎng)站客服。